lǐ器的de精细度越高gāo，能néng容纳nà的de晶体管越多，功耗越低dī，处chù理lǐ器能néng够满载的de时shí间越长 。
同架构，同核hé数，同频pín率下xià，制zhì程越低dī的de处chù理lǐ器性xìng能néng越高gāo 。比如omap3430和héomap3630都是shìcortex a8架构，qsd8250和hém***8255都是shìscorpion架构，核hé数频pín率一yī样yàng，但omap3430和héqsd8250是shì45nm制zhì程，要弱于omap3630和hém***8255 。
目前处chù理lǐ器工艺多数是shì氮氧化硅栅极绝缘层，poly/sion，另外有yǒu高gāo介电常数金属栅极，hkmg 。由于hkmg工艺比sion工艺更gèng低dī功耗，和hé氧化基底变薄，能néng够容纳nà更gèng多的de晶体管，和hé更gèng多的de满载实际jì，一yī般32nm hkmg可以折算为wèi24nm sion，28nm hkmg=20nm sion 。
另外hkmg有yǒugate first和hégate last两种分fēn类，gf比gl先xiān进jìn，制zhì程越小xiǎo，差距jù越明显 。
hkmg之上shàng还可以加上

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