纳米尺度的天线可以增强来自半导体的光能量自发发射率 _神秘

【纳米尺度的天线可以增强来自半导体的光能量自发发射率】（报道）据EurekAlert!：一项研究发现，纳米尺度的天线可以增强来自半导体的光能量自发发射率。正如收音机天线从电磁波中提取电信号，光天线可以用于从诸如量子点、分子和半导体等来源提取光能量。
Eli Yablonovitch及其同事证明了纳米尺度的光学天线可以加速自发发射过程，即便能量的受激发射——诸如激光产生的受激发射——通常发生速度远远快于自发发射过程。研究人员把一个40纳米宽的铟、镓、砷以及磷（InGaAsP）组成的半导体纳米棍放置在了一个金光学天线内。来自这个天线内的这种InGaAsP纳米棍的自发发射光功率强度是没有这个天线的35倍，这转化成了大约115倍的自发发射率加速。电磁计算预测了一个窄的10纳米缝隙天线的至多2500倍的自发发射率加速，但是研究人员报告说，窄于10纳米缝隙的电子表面撞击和扩展电阻将会把这个天线效率降低到50%以下。
研究人员说，这些结果提示，在维持超过50%的效率的同时实现大约2500倍的自发发射加速是可能的。