mos是什么 _生活经验

mos是什么意思以金属-氧化物-半导体（MOS）场效应晶体管为主要元件构成的集成电路。简称MOSIC。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定性，MOSIC得到迅速发展。与双极型集成电路相比，MOSIC具有以下优点：①制造结构简单，隔离方便。②电路尺寸小、功耗低适于高密度集成。③MOS管为双向器件，设计灵活性高。④具有动态工作独特的能力。⑤温度特性好。其缺点是速度较低、驱动能力较弱。一般认为MOS集成电路功耗低、集成度高，宜用作数字集成电路；双极型集成电路则适用作高速数字和模拟电路。
按晶体管的沟道导电类型，可分为P沟MOSIC、N沟MOSIC以及将P沟和N沟MOS晶体管结合成一个电路单元的互补MOSIC，分别称为PMOS、NMOS和CMOS集成电路。随着工艺技术的发展，CMOS集成电路已成为集成电路的主流，工艺也日趋完善和复杂，由P阱或N阱CMOS发展到双阱CMOS工艺。80年代又出现了集双极型电路和互补金属-氧化物-半导体（CMOS）电路优点的BiCMOS集成电路结构。按栅极材料可分为铅栅、硅栅、硅化物栅和难熔金属（如钼、钨）栅等MOSIC ，栅极尺寸已由微米进入亚微米（0.5～1微米）和强亚微米（0.5微米以下）量级。此外，还发展了不同的MOS集成电路结构的MOSIC：如浮栅雪崩注入MOS（FAMOS）结构，用于可擦写只读存贮器；扩散自对准MOS（DMOS）结构和V型槽MOS结构等，可满足高速、高电压要求。近年来发展了以蓝宝石为绝缘衬底的CMOS结构，具有抗辐照、功耗低和速度快等优点。MOSIC广泛用于计算机、通信、机电仪器、家电自动化、航空航天等领域，可使整机体积缩小、工作速度快、功能复杂、可靠性高、功耗低和成本便宜等。

MOS是什么意思MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即半导体金属氧化物，它是集成电路中的材料，现在也可指代芯片．MOS内部的结构和二极管、三极管差不多，由P-N结构成，P是正的意思(positive)，N是负的意思(negative).由于正负离子的作用，在MOS内部形成了耗尽层和沟道，耗尽层里的正负离子相互综合，达到了稳定的状态，而沟道是电子流通的渠道，耗尽层和沟道一般是相对的耗尽层窄了，沟道就宽了，反之亦然．
MOS的功能和三极管差不多主要是放大电路，MOS可分为HMOS（高密度MOS)和CMOS(互补MOS),两种合起来又有了CHMOS.
以上答案如有不足，请多指教！
参考资料：模拟书等

MOS是什么意思？MOS是Microsoft Office Specialist的英文开头字母缩写，是微软办公软件使用的国际认证：国际权威职业化办公认证。MOS考试人群的来源：来自外企：百事、毕马威、欧姆龙、松下等这样的一些企业，打破我原有认知的是，很多日资企业的也来考这个证书，有些日本留学生也来咨询，后来了解到，国外比国内考试费贵。来自学生：这其中有明确留学以及进入外企意愿的占绝大多数，因为在美国ACE下属的1600多所大学，可以抵免学分。私企：部分考生表明，有想换工作的意向，所以提前预备。事业单位。
什么是MOS认证？【mos是什么】MOS：微软办公软件的国际认证
主板上的MOS是什么意思BIOS是软件、是程序！
CMOS是芯片、是硬件！

实际上我们是通过BIOS这个程序，去设置CMOS里的参数的。

CMOS是一块芯片，集成在主板上，里面保存着重要的开机参数，而保存是需要电力来维持的，所以每一块主板上都会有一颗纽扣电池，叫CMOS电池。

CMOS里存放着参数，要设置它，我们必须通过程序把设置好的参数写入CMOS，所以，就利用BIOS程序来读写。

你就明白了吗？

BIOS是什么？
BIOS就是(Basic Input/Output System，基本输入/输出系统的缩写)在电脑中起到了最基础的而又最重要的作用。是电脑中最基础的而又最重要的程序。把这一段程序放在一个不需要供电的记忆体（芯片）中，这就是平时所说的BIOS 。

它为计算机提供最底层的、最直接的硬件控制，计算机的原始操作都是依照固化在BIOS里的内容来完成的。准确地说，BIOS是硬件与软件程序之间的一个接口或者说是转换器，负责解决硬件的即时需求，并按软件对硬件的操作要求具体执行。电脑使用者在使用计算机的过程中，都会接触到BIOS，它在计算机系统中起着非常重要的作用。

MOS是什么意思MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体。MOS还是Microsoft Office Specialist的英文开头字母缩写，微软办公软件使用的国际认证：国际权威职业化办公认证，是Certiport这个国际著名的从事计算机应用能力认证的专业机构与Microsoft总部共同推出的微软办公软件的实际运用能力的考核，这是微软办公软件Office专家应用认证，为Microsoft 唯一所认可的Office 软件国际级的专业认证。

主板上的MOS是什么意思MOS：微软办公软件的国际认证
网优中MOS值是什么意思

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MOS值是衡量通信系统话音质量的一个重要指标。目前， MOS测试DT的方法主要是通过语音盒单元连接手机主叫的语音链路。所述通话手机的下行MOS值是通过所述通话手机发送标准语音波形实现的，所述通话手机通过网络到达。将接收到的波形与发射出的波形进行比较计算，得到下行MOS ，上行MOS是相反的过程。对于主叫手机的下行MOS值也为被叫手机的上行，因此主、被叫手机的MOS值是一样的。影响MOS的主要因素：由于PESQ算法考虑了整个信号传输过程的中断和衰减，而不仅仅是空气接口部分，影响MOS的主要因素有:语音编码方案(AMR、HR、FR或EFR)、Abis传输、Abis压缩、不连续传输(DTX)、C/I、开关频率和质量(RxQual) 。对MOS等的影响。目前影响MOS水平的最重要因素是语音编码方案，其次是频繁切换、LAPD压缩和质量(RxQual) 。总之，在目前语音编码不变的前提下，合理控制过覆盖，减少频繁切换，尽力提高网络质量(RxQual)，从而提高部分MOS的水平。扩展资料：在国际标准中，统一使用MOS值来评价系统接收到的压缩语音质量:5优;4好;3可以接受;2差;糟糕，非常类似于俄罗斯教育系统的5分制。如果我们衡量一个清晰的声音所需要的注意力的程度:5点是在没有注意力的情况下听;4 .要点是需要一点注意听;3点是需要一定的注意力去听;2 .需要相当注意的是很少听到;第一点是注意力很难被听到。在MOS值语音质量评价方法中，将有线电话的语音质量标准设置为4点。如果使用一种算法来压缩语音，对于没有经过专门训练的耳朵来说，是不可能区分语音是否被压缩的。结果表明，语音质量已达到有线电话的水平，表明语音质量已达到4个点。在实际网络中，无线语音MOS值为2.5-4点。语音MOS值测量有专门的MOS测试仪。一些设备制造商正在寻找网络端BLER与终端端的MOS测量之间的关系，预测和分析网络端的语音MOS值，从而达到测量语音质量而不是MOS测试仪的目的。参考资料：百度百科-平均主观意见分
mos管是什么原理，起什么作用的MOS管的原理：它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID 。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。作用：1、可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2、很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3、可以用作可变电阻。4、可以方便地用作恒流源。5、可以用作电子开关。简介：mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。结构特点：MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。n沟道mos管p沟道mos管其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
MOS管是做什么的？有什么作用？mos管是什么东西呢
mos管是什么原理？起什么作用？

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工作原理：MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。其主要原理如图：作用：由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管， MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。定义：mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
mos管的作用MOS管的作用 MOS管为压控元件,你只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通,它的导通就像三极管在饱和状态一样,导通结的压降最小.这就是常说的精典是开关作用.去掉这个控制电压经就截止. MOS管 MOS管的英文全称叫MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中， MOSFET扮演的角色主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。一、MOS管的作用是什么？目前主板或显卡上所采用的MOS管并不是太多，一般有10个左右，主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管， MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。二、MOS管的性能参数有哪些？优质的MOS管能够承受的电流峰值更高。一般情况下我们要判断主板上MOS管的质量高低，可以看它能承受的最大电流值。影响MOS管质量高低的参数非常多，像极端电流、极端电压等。但在MOS管上无法标注这么多参数，所以在MOS管表面一般只标注了产品的型号，我们可以根据该型号上网查找具体的性能参数。还要说明的是，温度也是MOS管一个非常重要的性能参数。主要包括环境温度、管壳温度、贮成温度等。由于CPU频率的提高，MOS管需要承受的电流也随着增强，提供近百A的电流已经很常见了。如此巨大的电流通过时产生的热量当然使MOS管“发烧”了。为了MOS管的安全，高品质主板也开始为MOS管加装散热片了。电感与MOS管是如何合作的？通过上面的介绍，我们知道MOS管对于整个供电系统起着稳压的作用，但是MOS管不能单独使用，它必须和电感线圈、电容等共同组成的滤波稳压电路，才能发挥充分它的优势。主板上的PWM(PlusWidthModulator ，脉冲宽度调制器)芯片产生一个宽度可调的脉冲波形，这样可以使两只MOS管轮流导通。当负载两端的电压(如CPU需要的电压)要降低时，这时MOS管的开关作用开始生效，外部电源对电感进行充电并达到所需的额定电压。当负载两端的电压升高时，通过MOS管的开关作用，外部电源供电断开，电感释放出刚才充入的能量，这时的电感就变成了“电源”，继续对负载供电。随着电感上存储能量的不断消耗，负载两端的电压又开始逐渐降低，外部电源通过MOS管的开关作用又要充电。这样循环不断地进行充电和放电的过程，从而形成一种稳定的电压，永远使负载两端的电压不会升高也不会降低。采纳哦

主板上的MOS是什么东西？有什么作用？最好带个图片就是主板上面的供电系统。
http://img2.zol.com.cn/product/13/353/ceBBKtOFGxgHg.jpg
图片上那一大片小方块就是。

MOS管中Vgs是什么意思

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pmos管的vgs同样也有正和负。mos管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高vds的耐压承受力。比如说+12v是开启mos，-5v是关闭mos 。如果两种Vod都大于零，说明晶体管沟道全开，也就是处于线性区。只有一种Vod大于零，说明晶体管沟道半开（在DS任意一端没打开有夹断），也就是处于饱和区。扩展资料：当CMOS被使用来作数字影像器材的感光元件使用，称有源像素感测器（Active Pixel Sensor），例如高分辨率数字摄影机与数码相机，尤其是片幅规格较大的数码单反相机更常见到CMOS的应用。另外消费型数码相机及附有照相功能的手机亦开始使用堆叠式有源像素感测器，Stacked CMOS，也有人译为积层式有源像素感测器或堆栈式有源像素感测器。或背面照射式有源像素感测器(BSI CMOS)，使成像质量得以提升。跟传统的电荷耦合元件(CCD)相比，由于CMOS每粒像素都设有放大器，所以数据传输速度很高。
MOS管的引脚，G、S、D分别代表什么？

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G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S ， P沟道的电源一般接在S，输出D 。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS 。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。扩展资料MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。参考资料来源：百度百科—MOS管
MOS管是什么？mos管是什么东西呢
MOS是什么？有什么作用？你可以直接到百度百科中去查MOS管的资料。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。目录简介详细介绍编辑本段简介双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance ，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。编辑本段详细介绍首先考察一个更简单的器件－MOS电容－能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon ，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE ，而半导体端就是backgate或者body 。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric 。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate 。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。MOS电容的GATE电位是0V 。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常?。?对器件整体的特性影响也非常小。当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做channel 。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt 。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel 。当电压差超过阈值电压时，channel就出现了。MOS电容：（A）未偏置（VBG=0V），（B）反转（VBG=3V），（C）积累（VBG=-3V）。中是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况。电场反转，往表面吸引空穴排斥电子。硅表层看上去更重的掺杂了，这个器件被认为是处于accumulation状态了。MOS电容的特性能被用来形成MOS管。Gate，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source，另一个称为drain 。假设source 和backgate都接地，drain接正电压。只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压，就不会形成channel 。Drain和backgate之间的PN结反向偏置，所以只有很小的电流从drain流向backgate 。如果GATE电压超过了阈值电压，在GATE电介质下就出现了channel 。这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅。由电子组成的电流从source通过channel流到drain 。总的来说，只有在gate 对source电压V 超过阈值电压Vt时，才会有drain电流。在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性。定义上，载流子流出source，流入drain 。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。这种情况下，电路设计师必须指定一个是drain另一个是source 。Source和drain不同掺杂不同几何形状的就是非对称MOS管。制造非对称晶体管有很多理由，但所有的最终结果都是一样的。一个引线端被优化作为drain，另一个被优化作为source 。如果drain和source对调，这个器件就不能正常工作了。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS 。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置，电子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累，没有channel形成。如果GATE相对于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面， channel形成了。因此PMOS管的阈值电压是负值。由于NMOS管的阈值电压是正的，PMOS的阈值电压是负的，所以工程师们通常会去掉阈值电压前面的符号。一个工程师可能说，“PMOS Vt从0.6V上升到0.7V” ，实际上PMOS的Vt是从-0.6V下降到-0.7V 。

MOS是什么mos管是什么东西呢
MOS的概念是什么?课程，主要教授windows的软件……是这个么？

MOS晶体管的概念和特性分别是什么？MOSFET 的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor 场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS 型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW 的电力电子装置。2.功率MOSFET 的结构和工作原理功率MOSFET 的种类：按导电沟道可分为P 沟道和N 沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET 主要是N 沟道增强型。采纳哦

N沟道MOS管衬底上的N+是“+号”是什么含义？还有为什么衬底通常要跟源极连接？+的意思是高掺杂浓度。
源极金属板将N+和P连接在一起，可以等效为源极和漏极间寄生了一个二极管，用于导通反向电压，防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。
这种结构一般多出现在中功率及以上的增强型N-MOSFET设计中。

GSM网络优化中MOS值怎么定义？语音的还原程度，单通就是1.0，一般是3-4之间，3以下较差，和无线信道编码方式有很大关系

这张图片的含义是什么不要将自己的快乐建立在别人的痛苦之上。你只是看到自己的快乐，但周围可能有人深陷痛苦之中。世界事物是在矛盾中发展的。

主板上的MOS是什么意思？什么样子呀？？？你说的是主板上的MOS管吧，就是那些扁的黑色方块，自己去看看吧。。。
http://www.beareyes.com.cn/2/lib/200512/12/20051212041.htm

电脑主板上有个mos芯片,mos是什么意识啊??属于专业术语，建议楼主参考文库的mos芯片知识文章：http://wenku.baidu.com/view/02d8ffefe009581b6bd9eba0.html

主板上的MOS有什么作用？？本视频由微芯源手机维修培训学校提供原创
主板上的MOS管是什么东西?MOS管是主板电源用的功率管，耗热大，CPU、主板超频工作时主板的电流比正常时大多了，电源的MOS管自然耗热更大，超频爱好者就加散热片来给MOS管降温。下面链接有图：

http://www.beareyes.com.cn/2/lib/200512/12/20051212041.htm

主板上的SPD是什么意思?一般是在内存条上的。1、SPD是SERIAL PRESENCE DETECT的缩写，中文意思是模组存在的串行检测。也即是通过上面讲的IIC串行接口的EEPROM对内存插槽中的模组存在的信息检查。这样的话，模组有关的信息都必须纪录在EEPROM中.习惯的，我们把这颗EEPROM IC就称为SPD了。为Serial Presence Detect 的缩写，它是烧录在EEPROM内的码，以往开机时BIOS必须侦测memory，但有了SPD就不必再去作侦测的动作，而由BIOS直接读取 SPD取得内存的相关资料。2、SPD是一组关于内存模组的配置信息，如P-Bank数量、电压、行地址/列地址数量、位宽、各种主要操作时序（如CL、tRCD、tRP、tRAS等）……它们存放在一个容量为256字节的EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，电擦除可编程只读存储器）中。3、实际上在SPD中，JEDEC规定的标准信息只用了128个字节（还有128字节，属于厂商自己的专用区）。一般的，一个字节至少对应一种参数，有的参数需要多个字节来表述（如产品续列号，生产商在JEDEC组织中的代码）。其中，一个字节中的每个bit都可能用来表示这一参数的具体数值。由于SPD的信息很多，在此就不一一列出了，有兴趣的读者可以参阅相关文档。4、SPD内的时序信息由模组生产商根据所使用的内存芯片的特点编写并写入至EEPROM，主要用途就是协助北桥芯片精确调整内存的物理/时序参数，以达到最佳的使用效果。如果在BIOS中将内存设置选项定为“By SPD” 。那么在开机时，北桥会根据SPD中的参数信息来自动配置相应的内存时序与控制寄存器，避免人为出现调校错误而引起故障。当然，对于DIYer来说，也可以自由调整时序与控制参数（物理参数仍要借助SPD或北桥自己检测来确定）。
MOS证怎么个考法?详细介绍下.100%有用,工作中,随时可能有表格制作问题,你找工作打个人简历都要WORD来做啊.所以,要学好.

详细具体介绍下MOS工艺详细的没有，简单的看下边：

Metal–oxide–semiconductor structure
A traditional metal–oxide–semiconductor (MOS) structure is obtained by growing a layer of silicon dioxide (SiO2) on top of a silicon substrate and depositing a layer of metal or polycrystalline silicon (the latter is commonly used). As the silicon dioxide is a dielectric material, its structure is equivalent to a planar capacitor, with one of the electrodes replaced by a semiconductor.

我做MOS管的，请告诉我用到MOS管较多的电器产品，详细介绍现代开关电源上基本都会用到，显示器里一次开关电源上用很多的，其他用到开关电源的设备现在基本都用MOS管控制了。
当然具体的应用场合还跟你代理的MOS管的耐压能力、通流能力、封装和品牌等等有关。

MOS集成电路的介绍MOS集成电路是以金属-氧化物-半导体（MOS）场效应晶体管为主要元件构成的集成电路。简称MOSIC。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定。
什么是微软MOS认证MOS：微软办公软件的国际认证
微软认证和MOS有什么区别？微软认证是对所有微软公司认证的总称，微软认证包括：MCTS、MCPD、MCLC、MCT、MCAD、Microsoft Office Specialist（MOS）、MCAS等等， MOS认证只是众多微软认证中的一种。更多微软认证项目请看下面的参考资料