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晶体管是什么?分享西门子S7-200晶体管输出型PLC的输出点如何测量！
晶体管中的LDD是什么意思轻掺杂漏区（Lightly Doped Drain ， LDD）结构，是MOSFET为了减弱漏区电场、以改进热电子退化效应所采取的一种结构，即是在沟道中靠近漏极的附近设置一个低掺杂的漏区，让该低掺杂的漏区也承受部分电压，这种结构可防止热电子退化效应。实际上，现在这种结构已经成为了大规模集成电路中MOSFET的基本结构。

晶体管的rbe是什么？搞不懂啊，求大神指点。

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rbe是晶体管的交流输入电阻，输入电阻是从放大电路输入端看进去的等效电阻。rbe是晶体管的交流输入电阻(动态)由三部份组成：1.基极体积电阻rbb一般为数十至二三百欧；2.发射极体积电阻很小一般忽略；3，基极、发射极结电阻跟β与电流IE有关公式为：β×26(mv)/I(ma)∵rbe=rbb+β×(26mv)/(Ima)26(mv)/I(ma)(波尔兹曼常数)扩展资料：优越性同电子管相比，晶体管具有诸多优越性：构件没有消耗无论多么优良的电子管，都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善，晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍，称得起永久性器件的美名。消耗电能极少仅为电子管的十分之一或几十分之一。它不像电子管那样需要加热灯丝以产生自由电子。一台晶体管收音机只要几节干电池就可以半年一年地听下去，这对电子管收音机来说，是难以做到的。不需预热一开机就工作。例如，晶体管收音机一开就响，晶体管电视机一开就很快出现画面。电子管设备就做不到这一点。开机后，非得等一会儿才听得到声音，看得到画面。显然，在军事、测量、记录等方面，晶体管是非常有优势的。结实可靠比电子管可靠100倍，耐冲击、耐振动，这都是电子管所无法比拟的。另外，晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一，放热很少，可用于设计小型、复杂、可靠的电路。晶体管的制造工艺虽然精密，但工序简便，有利于提高元器件的安装密度。参考资料来源：百度百科-晶体管
"晶体管"和"芯片"都是什么?晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。
简述：
晶体管是一种半导体器件，放大器或电控开关常用。晶体管是规范操作电脑，手机，和所有其他现代电子电路的基本构建块。
由于其响应速度快，准确性高，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能，包括放大，开关，稳压，信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域，可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。

芯片：
指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分。
芯片，英文为Chip；芯片组为Chipset 。芯片一般是指集成电路的载体，也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结果，通常是一个可以立即使用的独立的整体。“芯片”和“集成电路”这两个词经常混着使用，比如在大家平常讨论话题中，集成电路设计和芯片设计说的是一个意思，芯片行业、集成电路行业、IC行业往往也是一个意思。实际上，这两个词有联系，也有区别。集成电路实体往往要以芯片的形式存在，因为狭义的集成电路，是强调电路本身，比如简单到只有五个元件连接在一起形成的相移振荡器，当它还在图纸上呈现的时候，我们也可以叫它集成电路，当我们要拿这个小集成电路来应用的时候，那它必须以独立的一块实物，或者嵌入到更大的集成电路中，依托芯片来发挥他的作用；集成电路更着重电路的设计和布局布线，芯片更强调电路的集成、生产和封装。而广义的集成电路，当涉及到行业（区别于其他行业）时，也可以包含芯片相关的各种含义。
芯片也有它独特的地方，广义上，只要是使用微细加工手段制造出来的半导体片子，都可以叫做芯片，里面并不一定有电路。比如半导体光源芯片；比如机械芯片，如MEMS陀螺仪；或者生物芯片如DNA芯片。在通讯与信息技术中，当把范围局限到硅集成电路时，芯片和集成电路的交集就是在“硅晶片上的电路”上。芯片组，则是一系列相互关联的芯片组合，它们相互依赖，组合在一起能发挥更大的作用，比如计算机里面的处理器和南北桥芯片组，手机里面的射频、基带和电源管理芯片组。
详情参考：
http://baike.baidu.com/link?url=D05jnTfrP_t2EjFacfzRQJG9rMmrnOylfmnn3oO4LE3uhqmk11OwvcI3HQ7DxZBrHAez5IeXrKPpwCX3ObZIE4dOwtwCihQLEDoPMwV6Sae#7
http://baike.baidu.com/link?url=xN0QRtpaG53He-8nF6yFB28VYu0M4J2jblLpDxdcwnYGeSaslpgV4J42m6b1yuofemo4l2J_x78wdUauJFQ0La

transistor是什么意思transistor
晶体管
双语对照

词典结果：
transistor
[英][trænˈzɪstə(r)][美][trænˈzɪstɚ, -ˈsɪs-]
n.晶体管; 晶体管收音机，半导体收音机;
复数：transistors

以上结果来自金山词霸

例句:

1.
These are the first chips developed using intel's 22-nanometer 3-d tri-gate transistortechnology.
第三代酷睿处理器首次使用了英特尔的22纳米3D Tri-Gate晶体管技术。

半导体器件老师给我们留一道题晶体管为什么英文字叫transistor 有什么内在含在为这种器件命名时，布拉顿想到它的电阻变换特性，即它是靠一种从“低电阻输入”到“高电阻输出”的转移电流来工作的，于是取名为trans-resistor(转换电阻)，后来缩写为transistor，中文译名就是晶体管。

RF TRANSISTOR (射频晶体管)从参数上来说，就是截止频率比普通的三极管高，适合于工作在高频的RF电路中。
一般是用作无线电发射、接收机的场合，当然如果是无线电遥控也可以采用。比如著名的D40、D50、D80就是，它们用在发射机中的时候，效果要比普通的三极管好得多。

NPN和PNP是管子的极性，一般NPN的用的较多。Vced是管子的集电极对发射极最高耐受电压，最后一个是典型工作频率。

游戏《晶体管transistor》在“接入点（有图）”查看，或者叫检视技能的时候就会卡住退出怎么办汉化的bug，英文版没这问题
这个里面的内容是详细记录了此技能与其他技能组合时的效果，但只记录你用过的，会随着你的尝试而更新，所以不看问题也不大

实测3DM汉化3.0已经完全修复这个问题，你值得拥有～

电子管晶体管什么的为何要叫管？？那它总的有个名字吧？叫成电子片晶体片，你又要问为啥要叫片？刚开始发明的电子管，是圆筒状玻璃件，是一支玻璃管，所以叫电子管；后来发明了晶体元件，也就叫成晶体管了。

什么叫晶体管？分享西门子S7-200晶体管输出型PLC的输出点如何测量！
NECD882P是什么三极管,是开关管吗?NECD882P是NPN型功率开关三极管，是开关管。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
三极管：（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是如图所示的几种器件，
可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇
电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译，这是和电子三极管最早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西，实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的，否则就麻烦大咯，严谨地说，在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇！
电子三极管 Triode （俗称电子管的一种）
双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）
J型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）
金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称
V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）
注：这三者看上去都是场效应管，其金属氧化物半导体场效应晶体管、V型槽沟道场效应管是单极（Unipolar）结构的，是和双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）
其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管
VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管。

晶体管有什么用途方解石晶体到底有怎样的用途呢？看国外小哥如何用它破译电脑密码！
晶体管的作用是什么？？

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作用为：1.二极管可以作为单向的开关使用 2.三极管则可以用过电流的放大 3.通过三极管的拼接也可以进行逻辑的运算 4.使用的芯片都是通过晶体管的拼接而组成的数字或者模拟电路晶体管内部的工作原理很简单，对基极PS2707-1与发射极之间流过的电流进行不断地监视，并控制集电极发射极间电流源使基极一发射极间电流的数十至数百倍（依晶体管的种类而异）的电流流在集电极与发射极之间。就是说，晶体管是用基极电流来控制集电极一发射极电流的器件。从外部来看，因为在基极输入的电流被变大而出现在集电极、发射极端上，所以可看成将输入信号进行了放大。在实际的晶体管虽然有数千个品种，然而只是在最大规格、电特性和外形等方面有所不同。晶体管是将基极与发射极间流动的电流检测出来，进而控制集电极一发射极间电流的器件，所以只要使电流在基极与发射极之间流动，它就工作。也就是说，设计一种外部电路使基极一发射极间电流流动就可以了。扩展资料：晶体管的低成本、灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如数字计算。在控制电器和机械方面，晶体管电路也正在取代电机设备，因为它通常是更便宜、更有效地，仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的机械任务，使用电子控制，而不是设计一个等效的机械控制。因为晶体管的低成本和后来的电子计算机、数字化信息的浪潮来到了。由于计算机提供快速的查找、分类和处理数字信息的能力，在信息数字化方面投入了越来越多的精力。今天的许多媒体是通过电子形式发布的，最终通过计算机转化和呈现为模拟形式。受到数字化革命影响的领域包括电视、广播和报纸。频率特性晶体管频率特性参数，常用的有以下2个：(1)特征频率ft：它是指在测试频率足够高时，使晶体管共发射极电流放大系数时的频率。(2)截止频率fb：在置换晶体管时，主要考虑ft与fb 。通常要求用于置换的晶体管，其ft与fb，应不小于原晶体管对应的ft与fb 。其他参数除以上主要参数外，对于一些特殊的晶体管，在置换时还应考虑以下参数：(1)对于低噪声晶体管，在置换时应当用噪声系数较小或相等的晶体管。(2)对于具有自动增益控制性能的晶体管，在置换时应当用自动增益控制特性相同的晶体管。(3)对于开关管，在置换时还要考虑其开关参数。参考资料：百度百科——晶体管
有没有人知道Y1和Y2三极管的区别？单凭三极管上的印字是没有办法准确定出型号的，这和电阻上的印字不是一个概念。一般抄板厂都有一个三极管印字和具体型号的对应表，网上也有下载，但这个对应关系不是唯一的（一个印字下面对应多种型号是很常见的）。什么是三极管[1]?。ㄒ渤凭骞埽┰谥形暮謇锩嬷皇嵌匀鲆诺姆糯笃骷耐吵疲?我们常说的三极管，可能是如图所示的几种器件。可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇。电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译，这是和电子三极管最早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西，实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的，否则就麻烦大咯，严谨地说，在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇！电子三极管 Triode （俗称电子管的一种）双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）J型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管、V型槽沟道场效应管是单极（Unipolar）结构的，是和双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）其中J型场效应管是非绝缘型场效应管， MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管以DF查，是：BF721P沟场管SOT2231.5W300V或者是BFN21SOT89pnp管300Vvideoo 。
D13009K 三极管怎么测量好坏呢

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最好是把13009拆下来单独测量，这样比较正确。如果不方便拆，可以查管子的C-E间直流电阻。此电阻值应该几乎是无穷大。同时，查C-B直流电阻，此时，晶体管应该的单向导电性。如果这两项都正常，则此管子基本没坏。一般，在电源中，此管的B-E之间有电感(变压器绕组)，所以，在整机上B-E之间的直流电阻没办法测到。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。扩展资料：13009是NPN极性的大功率三极管，按照普通NPN三极管的检测方式检测即可。粗略检查时，将三极管拆下，数字万用表置于蜂鸣档（二极管档）或指针式万用表置于电阻档R×10、R×1量程，分别测量三极管的任意两个引脚，只要有任意两个引脚呈现短路状态，即说明该三极管已经击穿损坏。详细测量时，可以使用万用表依次验证三极管集电结和发射结这两个PN结的单向导电性，任意一个PN结失去单向导电性，则三极管已损坏。注意某些13009可能内置阻尼二极管，测量时需考虑阻尼二极管对测试的影响。如果PN结特性正常，再测试此是否具有放大能力，以及放大系数是否满足要求。对于电脑ATX电源来说，开关管大多是短路性损坏，并且短路后会烧毁保险管。因此一旦出现烧保险的故障，应重点检查主电源和副电源的开关管。参考资料来源：百度百科——三极管
晶体管和晶闸管的区别？请举个现实中运用的例子，谢谢了晶体管与晶闸管的区别：1、晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。2、晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“vt”表示（旧标准中用字母“scr”表示）。

PLC输出晶体管和晶闸管输出的区别直流＝晶体管；交流＝可控硅；交直流＝继电器；
晶体管输出速度快，带直流负载。
继电器输出开关频率比晶体管低，可以带交流负载或直流负载。
晶闸管输出只能带交流负载，响应速度在前两者之间。

晶闸管和晶体管有什么区别？区别：
晶闸管是晶体管的其中一种，也叫“可控硅” 。工业上用途较广，如软启动，调压，调功，交流电子开关等交流回路。
晶体管是半导体二极管、三极管等的总称。晶体三极管在电视机，功放等应用，主要用来做放大器，开关，稳压，信号调制和振荡器。只能用于直流回路里。
相关简介：
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。

晶体三级管与晶闸管的区别？晶体三级管与晶闸管的区别：
1、晶体三级管有两类型，NPN的和PNP的，可以用来放大电信号，可以用来做电子开关;晶闸管呢也可以用来做电子开关，但不能用来放大信号，它用来做开关比晶体管好，因为它的导通电阻比晶体管的低，能通大电流。
2、另外晶闸管和晶体三级管的另外一个不同点是晶闸管一旦被触发导通后，它的栅极对它就没有控制作用了，而晶体三级管的基极，只要它还没进入饱和，就对它有控制作用。

晶体三级管（transistor）：
是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体三级管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体三级管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
晶闸管（Thyristor）：
是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“vt”表示（旧标准中用字母“scr”表示）。

晶体管和晶闸管控制电流的区别晶体管有三个工作区，分别是截止、线性及饱和。工作在线性区时，集电极电流随基极电流的变化而成比例地变化，集电极电流是基极电流的β倍。工作在截止、饱和时，相当于开关，也相当于晶闸管的工作状态。晶闸管的工作状态是开关状态，只要给它的控制极足够的电压，晶闸管的阳极与阴极即导通，当流过晶闸管的阳极与阴极的电小于它的维持电流时，晶闸管截止。

什么是晶体管？1946年1月，贝尔（Bell）实验室成立了固体物理研究小组及冶金研究小组，并设计出了第一个晶体管，即在一个楔形的绝缘体上蒸金，然后用刀片把楔尖上的金划开一条小缝，并将该楔形体与锗片接触，在锗片表面形成间距很小的两个接触点。这两个接触点分别作为发射极和集电极，衬底作为基极。经过无数次实验，终于在1947年12月23日首次观察到了该晶体管的放大特性。从此，世界上第一个晶体管诞生了，拉开了人类社会步入信息时代的序幕。
什么是晶体管?分享西门子S7-200晶体管输出型PLC的输出点如何测量！
什么是晶体管？晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。2016年，劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限，将现有的最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm，完成了计算技术界的一大突破。[

什么是晶体管?晶体管是由半导体材料制成的?常见的半导体有硅和锗,它们不同于铜?铁等电子能自由活动的导体,也不同于橡胶等电子被禁锢的绝缘体,而是一种具有特殊导电能力的物体?由半导体做成的晶体管,只有一只小鞭炮那么大?与电子管相比,晶体管的体积只有它的几十分之一或更小,而且耗电量很小,使用寿命比电子管还要长100倍?晶体管
gto晶体管有哪些参数,哪些参数与晶体管相同？哪些不同？GTO是门机关断晶闸管，是在晶闸管的基础发展来的。相同点：都是流控器件、都需要持继的控制电流才能持继导通。不同点：1 GTO的一控制导通后只要门极电流大于维持电流GTO就维持导通并且输出电流的大小是不可控的，而功率晶体管则可以。2 GTO需要关断电流才能关断，而功率晶体管则一般只需关掉基极电流就可以3 因为GTO导通后需要擎住电流，且门极电流大、GTO的最大额定电压电流比功率晶体管大、GTO比功率晶体管的开关速度6-30倍。

晶体管有哪些作用？晶体管,是由N型半导体和P型半导体够成,电流在其中的传播主要是靠多数载流子传播的;对于N型半导体:多数载流子是电子,而对与P型半导体,多数载流子是空穴(正电荷).门电路,是这样一种电路:它规定各个输入信号之间满足某种逻辑关系时，才有信号输出.与非门,或非门又分为CMOS和TTL两种,不过功能是一样的,只是电路组成不同罢了.与非门:举个例子,输入端输入1,0两个信号,与是乘的意思,1*0=0(在数子电路中,1+1=1)然后取反,1的反是0,即输出低电平0.或非门是信号相加然后取反,1+0=1 1+1=1 0+0=0,然后取反

三极管或者是晶体管都有哪些规格不是吧，兄弟，你的问题还真是真是多，你可以工程师的网站，如果21IC之类的查看一下啊，如果具体在哪一个型号的参数之类的，你就可以向天亿电子他们要资料，他们做这个比较专业一点。

晶体管有哪些特性？一、晶体管的种类晶体管有多种分类方法。（一）按半导体材料和极性分类按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。（二）按结构及制造工艺分类晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。（三）按电流容量分类晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。（四）按工作频率分类晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。（五）按封装结构分类晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。（六）按功能和用途分类晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。二、晶体管的主要参数晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。（一）电流放大系数电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。1．直流电流放大系数直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。2．交流电流放大系数交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。（二）耗散功率耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM ，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管， PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。（三）频率特性晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。1．特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。2．最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα ，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ 。（四）集电极最大电流ICM集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。（五）最大反向电压最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。1．集电极—发射极反向击穿电压该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用VCEO或BVCEO表示。2．集电极—基极反向击穿电压该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用VCBO或BVCBO表示。3．发射极—基极反向击穿电压该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用VEBO或BVEBO表示。（六）反向电流晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO 。1．集电极—基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。2．集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越?。得骶骞艿男阅茉胶?。

常用的晶体管整流电路有哪些常用晶体管整流电路有：单相半波、单相全波、单相桥式、三相半波和桥式等五种整流电路。较特殊的还有倍压整流和可控整流等电路。

pcb板中的bipolar npn transistor是什么意思bipolar transistor
[英]ba??p??l? tr?n?sist?
[美]ba??pol? tr?n?z?st?
双极（性）晶体管，场效应晶体管

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连接成二极管形式的NPN或PNP晶体管是什么意思？二极管，是电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。PNP型三极管与NPN型三极管区别2个PN结的方向不一致。PNP是共阴极，即两个PN结的N结相连做为基极，另两个P结分别做集电极和发射极；电路图里标示为箭头朝内的三极管。NPN则相反工作原理：晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c 。当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo 。在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）基极区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie 。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic ，这就是所谓电流放大作用， Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：β1=Ic/Ib式中：β1--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：β= △Ic/△Ib式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分， β值约为几十至一百多。三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。以上是贝爷⑧⑨①⑧⑨⑥①①〇精心为了贡献的
什么时候用到NPN性晶体管什么时候用到PNP性晶体管？为什么？在三极管家族中，NPN型三极管比较多，应用也比较多，而PNP型三极管较少，一般PNP型三极管用于低压电路，有的PNP型三极管还和NPN型三极管组合成功率对管，用于组成功放电路。

npn晶体管是不是又称为p管，nmos管是不是有时可当做npn管分析？npn晶体管中间的一层半导体是p型材料，可以简称为p管。
nmos管分两种，其中N沟道nmos管可当做npn管分析。

transistor是什么意思transistor
英[trænˈzɪstə(r)]美[trænˈzɪstɚ, -ˈsɪs-]
n.晶体管; 晶体管收音机，半导体收音机;
全部释义>>
[例句]In 1948 to be exact, a new device, the transistor, was announced by Bell Telephone Laboratories.
确切地说，是在1948年，贝尔电话实验室把一种新的元件――晶体管公诸于世。

power transistor是什么意思power transistor

[电子] 功率晶体管

[网络短语]

power transistor 功率晶体管,功率电晶体,动力传动机构
power bipolar transistor 功率双极晶体管,晶体管,电晶体
microwave power bipolar transistor 微波功率双极晶体管

high voltage transistor是什么意思high voltage transistor
高压晶体管

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transistor+outline是什么意思transistor outline
英 [trænˈsistə ˈautlain]美 [trænˈzɪstɚ ˈaʊtˌlaɪn]
词典
晶体管轮廓
网络
晶体管外壳;

outline英[ˈaʊtlaɪn]美[ˈaʊtˌlaɪn]
n.梗概，大纲，提纲，草稿，要点，主要原则; 外形，轮廓，轮廓线，轮廓画法，略图（画法）;
vt.概述; 略述; 画轮廓，打草图，描略图;
[网络]轮廓; 提纲; 大纲;
[例句]The mayor outlined his plan to clean up the town's image.
市长概述了他整顿市容的计划。
[其他]第三人称单数：outlines 复数：outlines 现在分词：outlining过去式：outlined 过去分词：outlined 形近词： biline acline neoline

bipolar transistor是什么意思bipolar transistor
双极型晶体管
双语对照

词典结果：
bipolar transistor
[英][baɪˈpəʊlə trænˈsistə][美][baɪˈpolɚ trænˈzɪstɚ]
双极（性）晶体管，场效应晶体管;

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射频与微波的区别

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微波信号和射频信号的区别是：一、性质不同微波作为一种电磁波也具有波粒二象性。微波的基本性质通常呈现为穿透、反射、吸收三个特性。对于玻璃、塑料和瓷器，微波几乎是穿越而不被吸收。对于水和食物等就会吸收微波而使自身发热。而对金属类东西，则会反射微波。我们把具有远距离传输能力的高频电磁波称为射频,英文缩写:RF 。为了能够在空中传播电视信号，必须把视频全电视信号调制成高频或射频（RF-Radio Frequency）信号，每个信号占用一个频道，这样才能在空中同时传播多路电视节目而不会导致混乱。二、信号不同微波信号是指频率为300MHz~300GHz的电磁波信号，微波频率比一般的无线电波频率高，通常也称为“超高频电磁波” 。射频信号就是经过调制的，拥有一定发射频率的电波。在电磁波频率低于100kHz时,电磁波会被地表吸收,不能形成有效的传输,一旦电磁波频率高于100kHz时，电磁波就可以在空气中传播，并经大气层外缘的电离层反射,形成远距离传输能力。扩展资料：射频分类和应用目前定义RFID产品的工作频率有低频、高频和甚高频的频率范围内的符合不同标准的不同的产品，而且不同频段的 RFID 产品会有不同的特性。其中感应器有无源和有源两种方式。低频其实 RFID 技术首先在低频(从125kHz 到134kHz)得到广泛的应用和推广。该频率主要是通过电感耦合的方式进行工作，也就是在读写器线圈和感应器线圈间存在着变压器耦合作用，通过读写器交变场的作用在感应器天线中感应的电压被整流，可作供电电压使用。磁场区域能够很好的被定义，但是场强下降的太快。特性：工作在低频的感应器的一般工作频率从120kHz 到134kHz, TI 的工作频率为134.2kHz 。该频段的波长大约为 2500m；1.除了金属材料影响外，一般低频能够穿过任意材料的物品而不降低它的读取距离。2.工作在低频的读写器在全球没有任何特殊的许可限制。3.低频产品有不同的封装形式。好的封装形式就是价格太贵，但是有 10 年以上的使用寿命。4.虽然该频率的磁场区域下降很快，但是能够产生相对均匀的读写区域。5.相对于其他频段的 RFID 产品，该频段数据传输速率比较慢。6.感应器的价格相对与其他频段来说要贵。主要应用：畜牧业的管理系统；汽车防盗和无钥匙开门系统的应用；马拉松赛跑系统的应用；自动停车场收费和车辆管理系统；自动加油系统的应用；酒店门锁系统的应用；门禁和安全管理系统。高频高频(工作频率为 13.56MHz)在该频率的感应器不再需要线圈进行绕制，可以通过腐蚀或者印刷的方式制作天线。感应器一般通过负载调制的方式的方式进行工作。也就是通过感应器上的负载电阻的接通和断开促使读写器天线上的电压发生变化，实现用远距离感应器对天线电压进行振幅调制。如果人们通过数据控制负载电压的接通和断开，那么这些数据就能够从感应器传输到读写器。特性：1.工作频率为 13.56MHz，该频率的波长大概为 22m；2. 除了金属材料外，该频率的波长可以穿过大多数的材料，但是往往会降低读取距离。感应器需要离开金属一段距离；3.该频段在全球都得到认可并没有特殊的限制；4. 感应器一般以电子标签的形式；5.虽然该频率的磁场区域下降很快，但是能够产生相对均匀的读写区域；6.该系统具有防冲撞特性，可以同时读取多个电子标签；7.可以把某些数据信息写入标签中；8. 数据传输速率比低频要快，价格不是很贵。主要应用：图书管理系统的应用；液化气钢瓶的管理应用；服装生产线和物流系统的管理和应用；三表预收费系统；酒店门锁的管理和应用；大型会议人员通道系统；固定资产的管理系统；医药物流系统的管理和应用；智能货架的管理。甚高频甚高频(工作频率为 860MHz 到 960MHz之间甚高频系统通过电场来传输能量。电场的能量下降的不是很快，但是读取的区域不是很好进行定义。该频段读取距离比较远，无源可达 10m左右。主要是通过电容耦合的方式进行实现。特性：1.在该频段，全球的定义不是很相同－欧洲和部分亚洲定义的频率为 868MHz，北美定义的频段为 902 MHz 到 905MHz 之间，在日本建议的频段为 950 MHz 到 956 MHz 之间。该频段的波长大概为 30cm 左右。2.目前，该频段功率输出目前统一的定义(美国定义为 4W，欧洲定义为 500mW) 。3.甚高频频段的电波不能通过许多材料，特别是水，灰尘，雾等悬浮颗粒物资。相对于高频的电子标签来说，该频段的电子标签不需要和金属分开来。4.电子标签的天线一般是长条和标签状。天线有线性和圆极化两种设计，满足不同应用的需求。5.该频段有好的读取距离，但是对读取区域很难进行定义。6.有很高的数据传输速率，在很短的时间可以读取大量的电子标签。主要应用：供应链上的管理和应用；生产线自动化的管理和应用；航空包裹的管理和应用；集装箱的管理和应用；铁路包裹的管理和应用；后勤管理系统的应用；大规模人员进出管理的应用。有源 RFID 技术有源 RFID 技术（ 2.45GHz、 5.8GHz）有源 RFID 具备低发射功率、通信距离长、传输数据量大,可靠性高和兼容性好等特点,与无源 RFID 相比,在技术上的优势非常明显。被广泛地应用到公路收费、港口货运管理、人员定位管理等应用中。但是使用此频段具有很强的方向性，并且在接收区域内如有金属物体的话，金属物体对该频段的射频会产生折射和反射，从而影响射频接收器的信号读写。参考资料来源：百度百科-射频参考资料来源：百度百科-微波
音频视频射频有何区别

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一、定义：1.音频：人类能够听到的所有声音都称之为音频，它可能包括噪音等。2.视频：泛指将一系列静态影像以电信号的方式加以捕捉、纪录、处理、储存、传送与重现的各种技术。3.射频：是一种高频交流变化电磁波的简称。每秒变化小于1000次的交流电称为低频电流，大于10000次的称为高频电流，而射频就是这样一种高频电流。二、表现领域：1.音频：音乐、影像、大自然的声音等2.视频：录像带、短片、电视剧等。3.射频：射频通信、医学应用、识别系统扩展资料射频技术在无线通信领域中被广泛使用，有线电视系统就是采用射频传输方式。在整个射频通信中，基带频率是用来调制数据的信号频率。而真正的传输频率则比基带频率高很多，一般的频谱范围是500MHz到38GHz，数据信号也是在此高频下进行传输的。射频系统具有非常强大的传输调制信号的功能。视频技术最早是为了电视系统而发展，但现在已经发展为各种不同的格式以利消费者将视频记录下来。视频技术最早是从阴极射线管的电视系统的创建而发展起来的，但是之后新的显示技术的发明，使视频技术所包括的范畴更大。参考资料来源：百度百科-音频参考资料来源：百度百科-视频参考资料来源：百度百科-射频
射频ic与射频有什么区别？两者都是电子电路中电流震荡的一种形式。1、射频（RF）是Radio Frequency的缩写，表示可以辐射到空间的电磁频率，频率范围从300KHz～30GHz之间，射频简称RF射频就是射频电流，它是一种高频交流变化电磁波的简称。而射频就是这样一种高频电流。高频(大于10K)；射频（300K-300G）是高频的较高频段；微波频段（300M-300G）又是射频的较高频段。2、射频IC（Integrated Circuit）是指工作在射频频段的集成电路芯片，用以实现特定的射频功能，工作在一个较小范围内的一个波段。
什么是三射频技术？

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三射频技术来自锐捷网络公司自主研发的射频设备。2018年9月14日，锐捷网络宣布三射频802.11ax无线AP RG-AP860-I上市。该设备可将Wi-Fi高密场景下的平均用户下载速率提升4倍、接入用户数提升50%；采用业界高速率设计，实现有线无线双10G的超高能力。此设备还具备SDI软件定义物联网的特性，支持Wi-Fi与蓝牙、RFID、Zigbee等物联技术的混合应用。目前，RG-AP860-I已在福建、厦门、广东等省的十几家用户进行测试或试用，凭借出色的表现推动802.11ax的商业化应用。扩展资料：三射频技术的优势：作为锐捷新一代旗舰级802.11ax平台产品，RG-AP860-I采用三射频技术， 2.4G提供最高400Mbps的接入速率，两个5G均提供最高4.8Gbps接入速率。整机最大可提供业界最高的10Gbps无线接入速率，超极速无线让性能不再成为瓶颈。802.11ax标准利用OFDMA技术，加之同时支持2.4GHz和5GHz频段，创造出更多可用的数据通道。用户无论使用802.11ax ，还是802.11ac Wave2、802.11ac Wave1，甚至是802.11n的终端，在多个射频的环境下，使用效果都将获得显著提升。RG-AP860-I采用业界最高速率设计，带来有线无线双10G的极速体验。特别是当用户的终端升级到11ax之后，增益获得成倍增长。其无线的整机协商速率达到10G，有线端口的速率也达到10G 。有线和无线的速率高度匹配，让高性能无线AP的性能完满发挥。参考资料来源：锐捷官网-三射频！锐捷RG-AP860-I来了
晶体管到底是不是管呢？晶体管的管是通道的意思。

晶体管是干什么的电路的电压放大少不了它.

关于晶体管你的这个问题是基于对晶体管，MOS管的领悟，有的时候，我们无法通过课本知识来了解一种器件，课本知识太抽象。我是学机电的，课本的知识无一能用在工作中，只能知道有这个东西而已，二极管容易理解，通与断，0.3/0.7V的压降，高低频率等区分，三极管是电流控制型器件，可控硅是电压控制型器件，MOS管正在研究。

这些东西呢，都是放大的器件，要想从深层次的了解这些东西，要挨个挨个做实验，通过对器件的控制来了解这些东西。二极管比较简单，三极管相对多些，但基本上是2N3904/2N3906，8050/8550等，可控硅可用BAT16等，MOS我现在正在弄IRF630，N沟通道的。

这东西写起来太费劲，如果楼主想慢慢了解，可以加我飞信，565562183，QQ上班的时候不能用，SKYPE ：kerrwang1982

cpu的晶体管是干什么的???CPU是在特别纯净的硅材料上制造的。一个CPU芯片包含上百万个精巧的晶体管。人们在一块指甲盖大小的硅片上，用化学的方法蚀刻或光刻出晶体管

简单而言，晶体管就是微型电子电子开关，它们是构建CPU的基石，你可以把一个晶体管当作一个电灯开关，它们有个操作位，分别代表两种状态：ON（开）和OFF（关）。这一开一关就相等于晶体管的连通与断开，而这两种状态正好与二进制中的基础状态“0”和“1”对应！这样，计算机就具备了处理信息的能力。但你不要以为，只有简单的“0”和“1”两种状态的晶体管的原理很简单，其实它们的发展是经过科学家们多年的辛苦研究得来的。在晶体管之前，计算机依靠速度缓慢、低效率的真空电子管和机械开关来处理信息。后来，科技人员把两个晶体放置到一个硅晶体中，这样便创作出第一个集成电路，再后来才有了微处理器。

什么是晶体管【transistor】晶体管是一种固体半导体器件，它是由硅、锗等晶体组成，所以叫做晶体管。它包括晶体三极管、晶体二极管、晶体场效应管、晶闸管等。可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。